2026年开年，国家集成电路产业投资基金三期（下称“大基金三期”）进入更密集的出资阶段。随着首批“落槌”项目的线索浮现，市场看到的并不是简单的产能扩张，而是围绕关键短板与确定性需求的更聚焦布局：一端指向先进封装与3D集成设备能力，另一端落在新能源汽车带动的车规级功率半导体与数模混合制造平台。
过去24小时内，拓荆键科与芯联先锋的名字被频繁提及：前者聚焦决定3D堆叠能力上限的混合键合设备，后者推进总投资222亿元的12英寸数模混合芯片制造项目，瞄准车规级功率半导体的规模化供给。两条线索一“前”一“后”，共同勾勒出大基金三期从“规模红利”转向“技术主权、系统补短”的投资取向。
3440亿元资本底色：从“拓荒/扩产”走向“长周期、精准化”
大基金三期的注册资本为3440亿元人民币，规模超过前两期之和。其诞生于2024年，并在2026年迎来出资高峰。与以往阶段相比，三期资金结构中首次引入工商银行、建设银行等六大国有银行合计超过1000亿元的资金，被业内视作更典型的“耐心资本”。
笔者认为，三期的任务更接近两件事：一是“填坑”，补齐光刻、先进封装、EDA等被反复验证的关键短板；二是“造塔”，在AI算力、HBM存储、第三代半导体等前沿方向建立可持续的产业能力与标准化基础。首批项目的行业指向，正对应这种“查漏补缺+面向未来”的组合逻辑。
拓荆键科：押注3D集成，核心落点是混合键合设备
大基金三期首个被曝光的动作，是通过其子基金“国投集新”注资拓荆键科。拓荆键科为薄膜沉积设备厂商拓荆科技（Piotech）的控股子公司，其被关注的核心原因在于：3D集成正在成为“超越摩尔”（More than Moore）的关键路径，而混合键合（Hybrid Bonding）是3D堆叠的工艺门槛之一。
随着2nm、1.4nm等先进制程逼近物理与成本边界，单纯依靠制程微缩提升性能的难度与代价同步上升。产业普遍转向通过先进封装与3D堆叠提升系统层面的性能与能效。
混合键合能够将芯片间互联间距缩小到10微米以下甚至纳米级，被视为HBM3e/HBM4以及高性能AI芯片制造的关键能力之一。长期以来，该领域由EVG、Besi等欧洲厂商占据主导。此次资金进入，被解读为为国内AI算力产业链提供更底层的设备能力支撑，以降低关键设备环节受外部供应波动影响的风险。
芯联先锋：222亿元12英寸项目，瞄准车规功率与数模混合平台
与设备端的“工艺卡位”相比，芯联先锋更像制造端的“重资产落子”。芯联先锋主导的12英寸数模混合芯片制造项目总投资222亿元，规划产能为10万片/月。在新能源汽车渗透率持续提升、车载芯片需求从“缺芯”走向“高端化替代”的背景下，功率半导体（IGBT、SiC）与相关驱动/控制的数模混合能力，成为更具确定性的增量方向。
12英寸晶圆的产出率相对8英寸可提升约2.25倍，有助于摊薄成本；同时12英寸平台更利于集成数模混合功能，对800V高压架构、碳化硅驱动集成等需求具有匹配度。
在这一路线下，大基金三期对芯联先锋的支持目标被概括为两层：一是形成可规模供给的产能平台；二是通过成本与供给能力形成更强的市场竞争力。10万片/月的规划产能意味着这不是小规模试产或单点突破，而是面向产业需求的系统性投入。
大基金三期的投资逻辑，不再广撒网
围绕拓荆键科与芯联先锋两条线索，可以看出大基金三期的几项策略变化：
相比一期更偏广泛布局，三期更强调对细分能力的定点投入大基金三期存续期长达15年。对于芯联先锋这类建设周期长、投入强度高的百亿级项目，更长的资金周期意味着更大的容错空间与更稳定的推进节奏。
投资制造端（芯联先锋）保障车载与AI相关需求的产能基础；投资设备端（拓荆键科）降低制造端在关键装备上的断供风险。两端同时推进，形成“产能—设备”协同的闭环逻辑。
笔者认为，2026年既是大基金三期的出资大年，也是中国半导体从“单点突破”走向“规模复制”的窗口期：一方面，首批项目可能带动更多资金在先进封装、高性能模拟/数模混合、第三代半导体等方向跟进；另一方面，围绕相关概念的市场关注也可能从情绪性交易逐步回到“产能兑现、技术落地、成本曲线”等基本面变量上。
在这一框架下，拓荆键科代表的是先进封装与3D集成设备能力的前置卡位；芯联先锋则对应车规功率与数模混合制造平台的规模化落地。两条路径分别解决“能不能做”“能不能做大”，也更接近大基金三期在“深水区”推进的现实逻辑：补短板、强底座、抓确定性需求。