2018年上半年Flash原厂三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士，以及中国企业在投资、建厂、扩产等方面展开竞赛，下半年原厂又在96层和QLC创新技术上竞争激烈，使得2018全年NAND Flash供应大幅度增加40%，消费类NAND Flash市场价格更是大跌65%。
2018年市场价格大跌出乎预料，已影响到企业财报获利，为了平衡市场供需，原厂产能“紧急制动”，且调整市场策略，2019年原厂3D NAND技术进展如何，产能如何布局，NAND Flash市场行情如何发展？
2018 年消费类 NAND Flash 价格大跌 65%，引原厂产能“紧急制动”
2018上半年Flash原厂持续扩大64层/72层3D TLC NAND产出，下半年64层QLC（4bit）和96层TLC陆续上市，单颗Die均可达1Tb，使得2018全年NAND Flash供应大幅度增加40%。
然而2018年三星、苹果智能型手机出货不及预期，中国手机品牌厂容量升级迟缓，且部分出现销量下滑的情况，再加上英特尔PC处理器在Q3旺季缺货，北美数据中心在Q4订单大幅缩减等影响，使得NAND Flash市场供过于求，消费类NAND Flash价格大跌65%。
2018年NAND Flash行情反转向下，到年底消费类每GB价格更是跌破0.1美金，原厂不得不改变策略，纷纷减少Wafer产出，缩减2019年投资金额等平衡市场供需。但由于原厂96层3D NAND技术在2018下半年以及2019上半年量产，新3D NAND如期推进，再加上苹果下调iPhone订单，原厂库存压力较大，预计2019年Q1市场价格将持续跌势，进入Q2市场需求会有所上升，而NAND Flash市场也将上演供应和需求的拉锯战。
关注芯扒客 ( 公众号ID: ChipGossip) 获取更多深度行业研究报告。
NAND Flash技术发展与产能分析
- 2018年原厂全面进入3D NAND时代，NAND Flash存储密度达到2260亿GB当量
随着3D技术的快速发展，2018年原厂三星、东芝/西部数据、美光/英特尔3D NAND生产比重已超过80%，美光甚至可以达到90%，但由于原厂在Q4淡季减缓Wafer产出，中国闪存市场ChinaFlashMarket将2018年NAND Flash存储密度下调至2260亿GB当量，但仍较2017年大增40%。2018年SSD与嵌入式产品合计消耗85%以上的NAND Flash产能，2019年仍然是主力需求市场。
- 原厂64层3D技术产出增加60%以上，96层3D技术将进一步提高产量
2018年三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等推动64层/72层3D NAND技术成为主流，相较于1znm工艺2D技术每片切割出600多颗128Gb的Die，不仅容量翻倍，单颗Die的总数更是增加了60%以上，这不仅使NAND Flash产量增加，NAND Flash成本也进一步下滑。
到2019年，原厂将以96层为主流量产技术，随着技术的不断成熟，量产良率也会逐步增加，尤其是单颗Die从512Gb量产，且向1Tb容量升级，中国闪存市场ChinaFlashMarket预计2019年NAND Flash存储密度将进一步增长至3100亿GB当量。
- 原厂2019上半年将陆续供货96层NAND，市场价格恐持续下滑
2018下半年三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等陆续量产新一代96层3D NAND技术，预计将在2019年扩大出货量。根据各原厂规划，96层技术量产的单颗Die容量将从256Gb/512Gb向512Gb/1Tb容量转移，同时64层QLC也可将容量提高到1Tb，预计从2019年Q2开始规模化出货，恐对NAND Flash市场产生巨大影响。
关注芯扒客 ( 公众号ID: ChipGossip) 获取更多深度行业研究报告。
- 原厂产能由扩产变减产，2019年存储密度增长率下滑至35%
2018年原厂三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等不仅在96层和QLC创新技术上展开激烈竞争，更是在投资、建厂、扩产等方面拉开战局。
原厂产能竞赛如火如荼时，市场需求却在2018年Q4骤降，尤其是苹果iPhone销量不佳，使得淡季更显疲软，再加上全年消费类NAND Flash价格大跌65%，原厂不得不改变策略，西部数据减少Wafer产出量，并减缓下一步96层3D NAND扩产计划，三星则缩减平泽工厂二楼的生产规模，美光将2019年投资预算从之前预估的105亿美元下修至90亿美元。
因为原厂的策略发生变化，中国闪存市场ChianFlashMarket将2019年存储密度从原本预估的3200亿GB当量下调至3100亿GB当量，增长率下滑至35%。
- 中国投资、建厂动作不断，大力发展存储产业，企业分工协作求突破
中国大力发展存储产业，瞄准3D NAND、DRAM、NOR Flash、SLC NAND等产品线，长江存储、合肥长鑫、紫光存储、兆易创新、东芯半导体、紫光西部数据等企业分别从技术研发、产品创新、大数据方案等方面寻求突破。
不过，中国在存储产业发展的道路上，也遇到了一些艰难险阻，比如：福建晋华遭受“禁售+诉讼”双重打击后如何破局？合肥长鑫是否也会面临同样的境遇？长江存储如何确保3D NAND品质、良率等，实现在2019年快速出货？这些都是业内人士以及国际大厂关注的焦点，也是中国存储产业发展需要克服的困难。
嵌入式存储产品发展趋势和市场应用
- 趋势：UFS3.0双通道传输速度最高23.2Gbps，温度扩展为- 40℃至105℃
UFS 3.0单通道理论带宽提升到11.6Gbps，传输速度是UFS 2.1的2倍，双通道最高达23.2Gbps，若在四通道配置下，理论带宽将高达46.4Gbps，超过PCIe SSD的速度。此外，UFS 3.0温度从-25℃至85℃扩展为- 40℃至105℃，并针对高温下电子流失，增加了数据刷新操作，通过重写数据延长高温下数据保存时间，还增加了温度提醒、报警功能，以符合汽车、监控、工业等领域对宽温的要求。
- 原厂UFS2.1导入96层技术，2019年新一代UFS 3.0将上市
随着UFS 3.0规范的发布，以及引领96层3D NAND技术的发展，西部数据已在2018年基于新一代96层3D NAND推出EU321 UFS2.1；东芝采用最新的96层3D NAND已推出业界首款UFS3.0产品，三星将要推出的新一代UFS 3.0产品，提供128GB、256GB和512GB容量选择，群联也推出了PS8317 UFS 3.0控制芯片布局市场，预计UFS 3.0有望在2019年实现商用，满足5G手机，以及先进驾驶辅助系统（ADAS）的智能汽车市场日益增长的存储需求。
- 三星、苹果手机需求下滑使NAND市场雪上加霜，2019年256GB/512GB容量是驱动力
三星智能型手机出货下滑，苹果新iPhone上市不如预期，再加上中国手机市场竞争激烈，2018年全球智能型手机出货下滑2.7%至14.5亿台，中国市场智能型手机出货下滑15.5%至3.9亿台，在全球市占份额也下降至26.9%。根据市场需求变化，原厂已及时对NAND Flash产能进行调整，但还需花费一段时间，所以原厂当务之急是将因苹果需求减少而多出来的产能在市场上消耗掉，全球智能型手机出货下滑已是事实，而高端智能型手机256GB和512GB容量将是2019年消耗NAND Flash产能的强劲动力。
- NAND Flash市场供过于求，eMMC价格大跌引产品迭代升级
2018年eMMC价格最高跌幅超过50%，eMCP价格跌幅超过30%。到2018年底eMMC 8GB和16GB价格已基本持平，而在2017年两者的差价还在2美金以上。eMMC 8GB和16GB同价代表终端制造商可以用同等的价格采购更大容量的eMMC，有助推动智能电视、OTT盒子、智能穿戴、智能音箱等智能产品搭载更大的容量，提高用户的产品体验度。
- IOT、AI等技术助力，差异化智能产品层出不穷，对低容量的存储产品需求增加
继智能型手机之后，平板、智能穿戴、智能电视、OTT盒子、行车记录等曾一度成为热门产品。2018年智能音箱成为炙手可热的爆款，此外还有很多其他智能产品，比如扫地机、儿童机器人、AI故事机、智能飞行器等，虽然这类智能产品不如智能型手机、平板等搭载32GB、64GB、128GB，甚至256GB、512GB、1TB高容量快速且大量消耗NAND Flash产能，但在物联网、云计算、人工智能等技术的不断发展下，差异化的智能产品层出不穷，且功能不断升级，正对高容量需求增加。
- 汽车市场才是大商机，美光、三星、华为等积极布局
随着人们生活水平的提高，汽车市场需求不断增长，2018年全球汽车销量接近1亿台，中国市场大约3000万台，而汽车向无人驾驶发展趋势已吸引英特尔、三星、高通、苹果、英伟达、华为等科技巨头通过合作、并购等方式加快进入汽车市场抢占商机。
目前，汽车对数据存储需求主要表现在后装市场，10年后无人驾驶将颠覆人们对传统汽车的认知，更将带来5000亿美元新市场，其中存储是重要的一环。从传统的汽车到无人驾驶，传感器、雷达、AI、ADAS、导航、路况分析、多媒体娱乐、运算平台等应用将把汽车变成一个移动的数据中心，且离不开高效、可靠、稳定、耐用的存储解决方案。