7款D2PAK表贴器件提供出色的灵活性
中国北京– 2022年8月4日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出7款采用表贴D2PAK-7L封装的750V碳化硅(SiC)FET。凭借该封装方案，Qorvo的SiCFET 针对快速增长的车载充电器、软开关DC/DC转换器、电池充电（快速DC和工业）和IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。
在650/750V状态下，第四代UJ4C/SC系列的RDS(on)为9毫欧姆(mohm)，实现行业低水平，该系列的额定电阻为9、11、18、23、33、44和60豪欧姆。该广泛选择为工程师提供更多器件选项，支持更大的灵活性，以实现理想成本/效率平衡，同时维持丰富的设计裕量和电路稳健性。这些器件利用独到的共源共栅SiCFET 技术，其中，处于常开状态的SiCJFET 与SiMOSFET 共同封装，产生处于常闭状态的SiCFET，这些器件提供出色的RDSx A 品质因数，能够最大限度减少小尺寸裸片中的传导损失。
UnitedSiC（现已被Qorvo收购）总工程师AnupBhalla 表示：“D2PAK-7L封装可减少紧凑内部连接回路中的电感，再加上附带的开尔文源连接，能够实现低开关损耗，支持更高的工作频率，并提高系统功率密度。此外，这些器件采用银烧结芯片贴装，通过液体冷却最大限度排出标准PCB和IMS基板上的热量，因此热阻非常低。”
采用D2PAK-7L封装系列的全新750V第四代SiCFET 售价（1000件起，美国离岸价）为3.50美元(UJ4C075060B7S)至18.92美元(UJ4SC075009B7S)。所有器件均通过授权经销商销售。
如需进一步了解UnitedSiC（现已被Qorvo收购）UJ4C/SC第四代SiCFET系列如何提供行业先进的性能品质因数，降低传导损失，提高更高速度时的效率，同时改善整体成本效率，请访问 https://unitedsic.com/group/uj4c-sc/。如需下载QorvoSiC FET 用户指南副本，请点击此处。