图片来源：香港高等法院对AIBT公司的传票
据双方此前签订的协议规定，原告KINGSTONE拥有超越7nm技术的集成电路芯片离子注入机的原创设计与开发的技术及产品。被告AIBT凭借购买原告KINGSTONE原创设计并生产的离子注入平台与其现有离子束系统（也是由KINGSTONE的创始团队成员开发）相结合，以此确立其在离子注入技术领域中的领先地位。协议规定AIBT在3年内必须且不可逾越地从KINGSTONE购买相关产品，而由于AIBT违反条约直接逾越KINGSTONE与上游零部件供应商签订单，KINGSTONE在针对此违约事项与AIBT多次主动沟通无果后，向其正式提起诉讼。
相关人士表示，如果AIBT逾越KINGSTONE直接采购上游零部件、组装并销售相关产品，必然侵犯KINGSTONE的知识产权。离子注入设备作为芯片制造工序中关键一环，只有打破核心设备的进口依赖，才能最终实现“中国芯”的自主制造。在面临国产化半导体设备遭受多方掣肘的背景下，KINGSTONE持续发力攻坚，现已拥有原创的超越7纳米芯片半导体离子注入机技术，并实现我国半导体设备领域国产设备商用化重大突破。随着半导体核心设备逐步实现中高端国产化，国产半导体设备领域也迎来了主导话语权，而加速产业国产化进程的同时，国内企业的海内外技术布局以及保护方面的意识也将显著增强，这也将会引领产业抢占发展制高点，在新一轮国际竞争中赢得先机。